金融界2025年8月15日消息，国家知识产权局信息显示，胜高股份有限公司申请一项名为“石英玻璃坩埚及使用其的单晶硅的制造方法”的专利，公开号CN120500560A，申请日期为2023年10月。

　　专利摘要显示，本发明的课题在于提供一种石英玻璃坩埚，其能够在坩埚的外表面以适当的晶体化速度形成较厚的晶体层以提高晶体提拉中的强度。石英玻璃坩埚(1)具备：由二氧化硅玻璃构成的坩埚基体(10)及形成于坩埚基体(10)的外表面(10o)的含有晶体化促进剂的涂布膜(13)。在炉内温度1580℃、炉内压力20Torr、Ar气氛下进行的热处理开始10小时后在坩埚基体(10)的外表面(10o)所形成的外表面晶体层的厚度为0.21～0.5mm，且晶体化速度为21～50μm/hr。自所述热处理开始20小时以后的所述外表面(10o)的晶体化速度为10μm/hr以下。